开关电流技术：一种新的模拟抽样数据处理方法

开关电流（ＳＩ）技术是一种新的模拟抽样数据处理技术，介绍了开关电流电路的基本单元结构，讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较，ＳＩ技术不仅结构简单，而且与标准ＣＭＯＳ工艺兼容，可望替代开关电容电路。     

Transient analysis of an advanced static var compensator using quad-series voltage-source PAM inverters

This paper deals with an advanced static Var compensator (ASVC) using quad-series voltage-source PAM inverters. The ASVC consists of four three-phase voltage-source inverters with a common dc capacitor and four three-phase transformers, each primary winding of which is connected in series with each other. Each inverter outputs a square-wave voltage, while the synthesized output voltage of the ASVC has a 24-step wave shape. This results not only in a great reduction of harmonic currents and dc voltage ripples but also in fewer switching and snubbing losses. In this paper, transient analysis is performed with the focus on the response of reactive power and the resonance between the dc capacitor and ac reactors. Experimental results obtained from a small-rated laboratory model of 10 kVA are also shown to verify analytical results based on the p-q transformation. The analytical results help in the design of system parameters such as the capacity of the dc capacitor and feedback gains.     

片式阻容元件的现状和发展方向

在国外的片式元器件（ＳＭＤ）中，片式阻容元件发展最快，主要表现为片式化率迅速上升，尺寸越来越小，性能越来越好，包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展，指出了我国的差距，提出了我国如何发展的措施。     

本征吸除硅片特性研究

本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60％,以上优品率≥85％。     

焊铝合金用IGBT交流矩形波弧焊逆变器

本文介绍了新型开关元件ＩＧＢＴ管作为逆变开关元件的交流矩形波逆变器的原理。并通过实验证明，该电源具有良好的引弧和稳弧性能，在铝合金焊接方面具有较好的工艺性能。     

Determination of generation lifetime fromC-t transients under linear voltage ramp bias

When a linear voltage ramp is applied to the gate of a MOS capacitor, a capacitancetime (C-t) transient is observed. The MOS capacitor is biased into strong inversion before applying the voltage ramp in order to eliminate surface generation. FromC-t transient curve obtained experimentally the minority carrier generation lifetime in semiconductor can be determined. The experimental results show that for the same sample the lifetimes extracted fromC-t curves under varying voltage sweep rates are close each other, and they are consistent with the lifetimes extracted by saturation capacitance method.     

基于小波熵的电容器扰动识别和定位

对投电容器扰动识别和定位的方法进行了改进。针对其他此类方法的不足，比如在电压幅值低时投电容器扰动的识别、定位“可信度不高”等，文中通过提取小波变换的特定层的系数，对需要识别的电容器扰动的分解信号相对增强，而其他扰动的分解信号相对减弱，然后再提取熵特征值，结果表明它可以作为识别低电压时投电容器扰动的依据。在对电容器扰动进行定位时，参考了功率和能量定位法，并对其进行了改进。仿真分析证明，在电压幅值较低时，可以准确和可靠地对电容器扰动进行识别和定位。     

PLC在环锭捻线机上的应用

介绍了如何使用PLC和数字变频调速技术 ,对传统环锭捻线机进行技术改造 ,使锭速、捻度和卷绕成形变换实现数字化柔性控制 ,扩大了工艺参数的变化范围 ,使整个捻线加工车间实现信息化管理成为可能。     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究

用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，并制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ薄膜电容器。ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主。在５Ｖ电压下，极化反转，并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和矫顽电场分别为８４μＣ／ｃｍ２和５７ｋｖ／ｃｍ。ＩＶ特性测试显示两个对称的双稳峰，并得到零电压下，面积为３１４×１０４μｍ２，厚度为０３５μｍ的电容器，电容约为５６０ｐＦ，介电常数约为６００。疲劳测试表明Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ具有优良的抗疲劳特性。     

开关电容DC－DC变换器的分析

本文提出等效电量关系法，并采用这一新的方法对众多的开关电容ＤＣ－ＤＣ变换器进行了统一分析，避免了求解复杂的状态方程的繁琐过程，且简化了分析．